iXblue公司的NIR-MX800-LN和NIR-MPX800是超寬帶的振幅和相位電光調(diào)制器，能夠傳輸波長(zhǎng)從780到960nm的光學(xué)信號(hào),帶寬高達(dá)40GHz。這系列調(diào)制器的芯片會(huì)被特別篩選，已保證780,850和950nm單模傳輸特性。這款調(diào)制器可以使用在許多應(yīng)用中：
對(duì)于通訊和數(shù)據(jù)傳輸，短距離通訊(幾百米，SR4)，它被集成到調(diào)制模塊中，產(chǎn)生高達(dá)56Gb/s的數(shù)據(jù)；另外這系列調(diào)制器也常被用在科研，冷原子，原子鐘等原子物理中，他們可提供高的載波抑制，產(chǎn)生高品質(zhì)的CS-DSB信號(hào)(Carrier Suppression Dual Side band signal)。
iXblue調(diào)制器是在近紅外波段的最佳選擇，波長(zhǎng)覆蓋可從780-1080nm。 我們這里將介紹制造NIR-MX800-LN和NIR-MPX800-LN調(diào)制器的加工工藝和各種性能指標(biāo)。
調(diào)制器外界因素的干擾
基于鈮酸鋰基底的調(diào)制器的性能取決于很多外部參數(shù)，例如光功率，溫度和電加載過(guò)程。這些影響產(chǎn)生的結(jié)果分別稱為光折變效應(yīng)(Photo-refractive)，熱釋電效應(yīng)(Pyroelectric)，熱膨脹和應(yīng)力效應(yīng)等。那么我們?cè)撊绾巫?，才能降低上述不希望出現(xiàn)的效應(yīng)呢？
光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的選擇，鈮酸鋰調(diào)制器的基底切向：
對(duì)于鈮酸鋰調(diào)制器，通常可以采取兩種切向的基底。Z切向（電場(chǎng)施加方向），這種調(diào)制器通常表征為較低的插入損耗和半波電壓V，它的電-光轉(zhuǎn)化的有效性更高。然而，熱釋電效果很強(qiáng)，導(dǎo)致調(diào)制器漂移（調(diào)制器傳輸曲線不穩(wěn)定），而且一些Z切向的調(diào)制器當(dāng)測(cè)試環(huán)境變化時(shí)（例如溫度）非常難以控制。X切向（光波導(dǎo)相對(duì)電波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì)稱）提供略微低于Z切向的電光轉(zhuǎn)換效率(稍高的Vpi和插入損耗)。然而，X切向的調(diào)制器穩(wěn)定性更好，漂移被很大的限制，熱釋電效應(yīng)非常弱。也就是說(shuō)，X切向允許得到比Z切向更穩(wěn)定的性能。
絕大多數(shù)iXblue調(diào)制器是基于X切向，即使在產(chǎn)品參數(shù)手冊(cè)上，我們的光學(xué)或電光參數(shù)看起來(lái)不如Z切向的好，但是可以保證調(diào)制器長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定工作，插入損耗穩(wěn)定，減少傳輸曲線漂移。
|
|
|
|
Figure 1a : Z切向結(jié)構(gòu) |
Figure 1b : X切向結(jié)構(gòu) |
光波導(dǎo)加工工藝的選擇，光折變效應(yīng)：
很多的研究已經(jīng)證明了光折變的影響，其中制造工藝是影響光折變效應(yīng)的最大因素，兩種技術(shù)目前被應(yīng)用：鈦擴(kuò)散(Ti in-Diffusion)和退火質(zhì)子交換(Annealed Proton Exchange)，這兩種工藝是為了在鈮酸鋰基底上增加波導(dǎo)的折射率。
鈦擴(kuò)散技術(shù)最被廣泛使用，主要是光通訊領(lǐng)域（O,C,L波段）。事實(shí)上，這是一種比較容易實(shí)現(xiàn)的加工技術(shù)，它在加工過(guò)程中可以容易實(shí)現(xiàn)較低的光損耗。然而，這種工藝對(duì)于短波長(zhǎng)（小于1310nm）展現(xiàn)出更多光折變的影響。光波導(dǎo)的折射率隨激光功率變化，表征為調(diào)制器傳輸曲線的漂移，消光比的變差和損耗的增加。同時(shí)，光折變效應(yīng)隨時(shí)間變化，這導(dǎo)致標(biāo)稱的參數(shù)不再穩(wěn)定。
退火質(zhì)子交換工藝相比鈦擴(kuò)散更難以實(shí)現(xiàn)。然后，這是為了實(shí)現(xiàn)調(diào)制器在近紅外波段工作的最佳技術(shù)。如下圖，退火質(zhì)子交換工藝的激光閾值要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于鈦擴(kuò)散工藝制造出的調(diào)制器。當(dāng)入射激光功率較高時(shí)，光折變效應(yīng)出現(xiàn)時(shí)，波導(dǎo)的折射率隨時(shí)間變化，這將導(dǎo)致調(diào)制器不穩(wěn)定，消光比的變差和光學(xué)損耗的增加。
Figure 2 :插入損耗和消光比的對(duì)比，使用兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的調(diào)制器，但是不同的制造工藝。鈦擴(kuò)散調(diào)制器參數(shù)隨時(shí)間抖動(dòng)。左：退火質(zhì)子交換。右：鈦擴(kuò)散
再一次聲明，即使在某些廠商的參數(shù)手冊(cè)上，鈦擴(kuò)散工藝制造出的調(diào)制器在近紅外波段優(yōu)于退火質(zhì)子交換工藝，但是鈦擴(kuò)散工藝的光折變效應(yīng)會(huì)在低激光功率時(shí)更早的介入，器件的性能將不再受控。所有iXblue近紅外波段的調(diào)制器使用退火質(zhì)子交換工藝，減小光折變的影響，提供更穩(wěn)定的性能。
參考 : “Comparison of guided-wave modulators fabricated on LiNbO3 via Ti and APE”, R. A. Becker, Applied Phys. Lett. Vol.43, N°2, 1983."
所有iXblue近紅外調(diào)制器都是基于退火質(zhì)子交換工藝，可以保證調(diào)制器長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定工作。
鈮酸鋰基底的選擇，光折變效應(yīng)
通過(guò)摻雜不同材料的鈮酸鋰基底，光折變效應(yīng)還可以進(jìn)一步減小，例如摻雜氧化鎂的鈮酸鋰基底(MgO-LiNbO3)，摻雜的介質(zhì)允許在自由載流子的復(fù)合過(guò)程中限制一些不利因素。退火質(zhì)子交換工藝，加上MgO-LiNbO3能夠提高調(diào)制器的激光閾值，降低光折變的影響，這對(duì)短波長(zhǎng)和高入射功率時(shí)尤其重要。
Figure 3 :使用退火質(zhì)子交換工藝的NIR-MX800-LN調(diào)制器插入損耗隨時(shí)間的穩(wěn)定性變化
電光效應(yīng)，帶寬：
iXblue是光通訊行業(yè)超寬帶調(diào)制器的主要供應(yīng)商之一，波長(zhǎng)通常在O,C和L波段。通過(guò)高頻電極的特別設(shè)計(jì)，iXblue開(kāi)發(fā)了在近紅外波段(780 nm, 850 nm, 930 nm)高達(dá)40GHz的超寬帶調(diào)制器，這種調(diào)制器可用來(lái)產(chǎn)生上升沿為皮秒數(shù)量級(jí)的超短脈沖。 另一方面，這種調(diào)制器的阻抗接近50歐姆，降低電子信號(hào)的回?fù)p，提高電光轉(zhuǎn)換的有效性。
|
|
|
|
Figure 4a : NIR-MX800-LN-20的S參數(shù) |
Figure 4b : NIR-MX800-LN-20產(chǎn)生的光學(xué)脈沖 |
消光比：
使用退火質(zhì)子交換技術(shù)制造的光波導(dǎo)在近紅外波段還有其他的好處：
n ·如前面所說(shuō)，降低光折變影響
n ·能夠?qū)崿F(xiàn)偏振片功能，濾掉雜散偏振態(tài)，提高消光比
iXblue生產(chǎn)最優(yōu)的芯片，提供定制化消光比大于30dB的調(diào)制器
|
|
|
|
Figure 5a :傳輸函數(shù)的實(shí)測(cè)結(jié)果，消光比>30 dB |
Figure 5b : NIR-MX800和偏壓控制一起使用，消光比隨時(shí)間的變化 |
相關(guān)產(chǎn)品：調(diào)制器偏壓控制和驅(qū)動(dòng)
除了調(diào)制器，iXblue還提供高頻信號(hào)放大器（調(diào)制器驅(qū)動(dòng)）和控制系統(tǒng)(Modulator Bias controler,調(diào)制器偏壓控制-MBC).這個(gè)產(chǎn)品對(duì)于客戶的應(yīng)用做最大的優(yōu)化：優(yōu)化消光比的穩(wěn)定性，超短上升沿的脈沖。
|
|
|
|
Figure 6a :常規(guī)調(diào)制器-驅(qū)動(dòng)-偏壓控制的系統(tǒng)搭建，MBC工業(yè)級(jí) |
Figure 6b :常規(guī)調(diào)制器-驅(qū)動(dòng)-偏壓控制的系統(tǒng)搭建，MBC科研級(jí) |
iXblue-800nm波段外強(qiáng)度調(diào)制器 |
|
|
780-850nm強(qiáng)度調(diào)制器，10GHz帶寬，+14dBm最大光功率 |
|
|
750-850nm強(qiáng)度調(diào)制器，20GHz帶寬，+14dBm最大光功率 |
|
|
*NIR-MX-LN系列1000nm波段強(qiáng)度調(diào)制器可選高消光比高達(dá)30dB，低插損版本。 |
|
iXblue-800nm波段相位調(diào)制器 |
|
|
780-890nm相位調(diào)制器，DC-150MHz帶寬，+14dBm最大光功率，低至2V半波電壓 |
|
|
780-890nm相位調(diào)制器，5GHz帶寬，+14dBm最大光功率 |
|
|
780-890nm相位調(diào)制器，10GHz帶寬，+14dBm最大光功率 |
|
|
780-890nm相位調(diào)制器，20GHz帶寬，+14dBm最大光功率 |
|
|
*NIR-MPX800-LN系列相位調(diào)制器，低半波電壓，高達(dá)25mW最大輸入光功率。 |
|
*點(diǎn)擊型號(hào)超鏈接，或聯(lián)系蘇州leyu集團(tuán)光電科技有限公司，獲取更多產(chǎn)品信息。
iXblue電光調(diào)制器射頻驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品：
|
低頻200MHz驅(qū)動(dòng)，±20Vpp輸出 |
|
|
DC-750MHz多格式驅(qū)動(dòng) |
|
|
12GHz多功能射頻驅(qū)動(dòng)（70ps-200ns脈寬） |
|
|
20GHz脈沖驅(qū)動(dòng)，~5.2Vpp輸出 |
|
|
*DR-VE-系列多功能驅(qū)動(dòng)適合放大信號(hào)如：模擬、數(shù)字信號(hào)、脈沖信號(hào)、可自定義功能優(yōu)化。 |
|
|
10GHz模擬驅(qū)動(dòng)，0-9Vpp輸出 |
|
|
10GHz高壓輸出模擬驅(qū)動(dòng)，0-15.9Vpp輸出 |
|
|
20GHz模擬驅(qū)動(dòng)，0-9Vpp輸出 |
|
|
20GHz高壓輸出模擬驅(qū)動(dòng)，0-15.9Vpp |
|
|
40GHz模擬驅(qū)動(dòng)，0-6.3Vpp輸出 |
|
|
*DR-AN系列模擬驅(qū)動(dòng)，具有優(yōu)越的線性度，低噪聲，非常適合于模擬信號(hào)或接近于50%占空比特殊格式信號(hào)放大。 |
|
|
12.5Gb/s NRZ/RZ數(shù)字信號(hào)高性能驅(qū)動(dòng)，2-8Vpp輸出 |
|
|
20Gb/s NRZ數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)，2-8Vpp輸出 |
|
|
22Gb/s高壓輸出數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)，高達(dá)13.5Vpp輸出 |
|
|
40Gb/s NRZ/RZ數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)，6.3Vpp輸出 |
|
|
*DR-DG系列數(shù)字驅(qū)動(dòng)，適合于NRZ、RZ等各種數(shù)字格式信號(hào)放大，匹配各種數(shù)字信號(hào)調(diào)制應(yīng)用。 |
|
*點(diǎn)擊型號(hào)超鏈接，或聯(lián)系蘇州leyu集團(tuán)光電科技有限公司，獲取更多產(chǎn)品信息。
|
模擬應(yīng)用偏壓控制器，Q點(diǎn)鎖定，無(wú)導(dǎo)頻，超穩(wěn)定 |
|
|
數(shù)字應(yīng)用、脈沖應(yīng)用、模擬應(yīng)用偏壓控制器，四種自動(dòng)偏置控制模式 |
|
|
IQ調(diào)制偏壓控制器（DC1&DC2-Min，DC3/DC phase-Q） |
|
|
*自動(dòng)偏壓控制器可集成Tap-coupler方便易用。 |
|
*點(diǎn)擊型號(hào)超鏈接，或聯(lián)系蘇州leyu集團(tuán)光電科技有限公司，獲取更多產(chǎn)品信息。
更多電光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電光調(diào)制系統(tǒng)產(chǎn)品應(yīng)用及需求，請(qǐng)聯(lián)系蘇州leyu集團(tuán)光電科技有限公司相關(guān)銷售人員，咨詢電話：0512-62828421，咨詢郵箱：sales@ ！
>
